Elektronikus eszközök I. BUDAPESTI MŰSZAKI ÉS GAZDASÁGTUDOMÁNYI EGYETEM VILLAMOSMÉRNÖKI ÉS INFORMATIKAI KAR

Fülszöveg

TARTALOMAz elektronikus eszközök bevezető áttekintése11Félvezető fizikai összefoglaló35Félvezetők sávszerkezete35A diszperziós reláció35Az elektronállapotok sűrűsége39Fermi statisztika, intrinsic félvezető41Adalékolt félvezetők44A töltéshordozó koncentrációk és a Fermi szint kapcsolata48A Fermi nívó helyzete50Hőmérsékletfüggés54Áttérés potenciálokra, nem egyensúlyi koncentrációk55Az eszközfizika alapegyenletei57Extenzív és intenzív mennyiségek58Az általános transzportegyenlet58A megmaradási törvény59Áramok, transzportegyenletek61Megjegyzések a transzportegyenletekhez65Kiegészítő egyenletek66Az alapegyenletek legfontosabb következményei66Neutralitás és egyensúly66Áramok félvezetőkben69Egyensúly inhomogén anyagban70Felületi jelenségek72A dielektromos relaxáció76Diffúziós egyenlet, diffúziós hossz78Félvezetők anyagi paraméterei80Mozgékonyság80Félvezetők fajlagos ellenállása81Generációs-rekombinációs jelenségek82A kisszintű élettartam88Generáció nagy térerősség esetén89Generáció külső hatások következtében90A pn átmenet92A pn átmenet struktúrája92A pn átmenet sztatikus viszonyai96Diffúziós potenciál, kontaktpotenciál96Töltés- és potenciáleloszlás. Kiürített réteg102Az elektrosztatikus viszonyok közelítő számítása106A pn átmenet potenciálmenetének pontos számítása118A pn átmenet egyenáramú karakterisztikája121Az egyenirányító működés kvalitatív magyarázata121Az ideális dióda egyenlet129Nagyáramú jelenségek a nyitó tartományban148Generáció-rekombinációs jelenségek157Letörési jelenségek167A pn átmenet differenciális jellemzői és kapacitásai180A pn átmenet differenciális ellenállása180A pn átmenet kapacitásai185Diffúziós kapacitás és admittancia188A tértöltéskapacitás számítása200A pn átmenet kapcsolódó működése206Diódás kapcsolók sztatikus viselkedése206Diódatranziensek és kvalitatív magyarázatuk211Bekapcsolási tranziens214Kikapcsolási tranziens. A záró irányú feléledési idő218A pn átmenet töltésegyenlete223A gyorsítás lehetőségei230A pn átmenet működésének hőmérséklet-függése231A záróáram hőmérsékletfüggése231A nyitófeszültség hőmérséklet-függése233Félvezető diódák235Tokozás, termikus jellemzők235Félvezető diódák tokozása235Hőelvezetés, hővezetési ellenállás238Hőmérsékleti hatások a dióda elektromos viselkedésében245A félvezető diódák adatlapja252A félvezető eszközök szokványos jelölésrendszere253Egy adatlap részletes ismertetése254Különleges félvezető diódák260Változó kapacitású diódák260Zener diódák264Nagyfeszültségű diódák. A p-i-n dióda269A félvezető diódák számítógépi modellezése275A bipoláris tranzisztor277A bipoláris tranzisztor struktúrája277A bipoláris tranzisztor működése282A tranzisztorhatás282Az áramerősítés285Injektálási hatásfok, transzporthatásfok286Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázisú tranzisztor288A tranzisztor üzemmódjai291Potenciálviszonyok a tranzisztorban293Kiürített rétegek. Az effektív bázisvastagság294Beépített tér a bázisban295Az ideális tranzisztor egyenáramú karakterisztikája297A karakterisztikaszámítás általános módszere297A tranzisztor normál aktív üzeme300A tranzisztor inverz aktív üzeme312A tranzisztor telítéses működése. Az Ebers-Moll-egyenletek316Az ideális tranzisztor karakterisztikái325A valóságos tranzisztor karakterisztikái338A CB parazita dióda hatása338A soros ellenállások340Kimenő vezetés és visszahatás Early-effektus345Az áramerősítés munkapont függése355Az áramkiszorítás361Egyenáramú jellemzők a tranzisztor adatlapon366Kisjelű helyettesítőképek, kapacitások373A kisjelű erősítőműködés jellege373Fizikai és "fekete doboz" helyettesítés375Kisjelű fizikai helyettesítőképek375A kapacitások figyelembevétele382Négypólus helyettesítő képek384Nagyfrekvenciás működés392A tranzisztor határfrekvenciái392Az áramerősítés nagyfrekvenciás csökkenésének okai394A határfrekvenciák számítása398Konstrukciós szempontok a nagyfrekvenciás tranzisztoroknál402A tranzisztor kapcsoló működése403A kapcsoló működés jellege403Határadatok, maximális kapcsolható teljesítmény405Áramköri tranziensek410A belső működés tranziensei417A töltésegyenletek423A kapcsolási idők számítása428Térvezérlésű tranzisztorok434A MOS struktúra435A MOS struktúra és kapacitása435Tértöltés a félvezető felület környezetében441A küszöbfeszültség446Az inverziós töltés452Az oxidtöltés hatása a küszöbfeszültségre455Küszöbfeszültség beállítás ionimplantációval456Az inverziós réteg sajátságai457A növekményes MOS tranzisztor461A növekményes MOS tranzisztor felépítése461A MOS tranzisztor differenciál-egyenlete462A karakterisztikaegyenlet meghatározása464A MOS tranzisztor ideális karakterisztikája, a telítési feszültség467A MOS tranzisztor négyzetes ellenállása469Méretcsökkentési szabályok (scale down)471Komplementer MOS tranzisztorpárok474A kiürítéses MOS tranzisztor476Részletes tárgyalás479Potenciáleloszlás479Működési sebesség482A telítéses üzemállapot részletes vizsgálata483A telítési feszültség és a telítési áram487A mozgékonyság térerősség függésének hatása489A szubsztrát-előfeszültség hatása491Küszöbfeszültség alatti áram491A source és drain körül kialakuló tértöltésréteg hatása, a rövidcsatornás MOS tranzisztor497Alkalmazási kérdések501A MOS tranzisztor kapcsolóüzeme501A karakterisztika hőmérsékletfüggése505A záróréteges térvezérlésű tranzisztor507A záróréteges térvezérlésű tranzisztor működése507A záróréteges térvezérlésű tranzisztor differenciálegyenlete510A záróréteges térvezérlésű tranzisztor karakterisztikája512A záróréteges térvezérlésű tranzisztor paraméterei516Töltésáthaladási idő és sávjóság518Hőmérsékletfüggés520Függelék523